MOSFET de potencia de canal N de 50 A, 60 V, TO-220AB

MOSFET de potencia de canal N de 50 A, 60 V, TO-220AB

Disponibilidad: Agotado

Fabricación MEGAFET para rendimiento excepcional
Optimización del silicio en proceso similar LSI
Diseñados para reguladores y convertidores de conmutación
Compatibles con controladores de motores y relés
Operación directa desde circuitos integrados

Marca: SYSCOM PARTS

Modelo: 50-N-06

Clave SAT: 32111602

Garantía: 1 año

$48.80

Especificaciones del Producto

Peso:

0.01 kg

Dimensiones:

Alto: 0 cm, Ancho: 0 cm, Largo: 0 cm

Categoría:

Misceláneo / Refacciones / Radiocomunicación

Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características similares a los de los circuitos integrados LSI, ofrece una utilización óptima del silicio, lo que se traduce en un rendimiento excepcional. Se han diseñado para su uso en aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores y controladores de relés. Estos transistores pueden funcionar directamente desde circuitos integrados.